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HB结构的基础元器件，程旭称之为HB管，这是一个什么东西？
从功能上讲，它和三极管，以及现在集成电路最常用的MOS晶体管是同一类，都可以作为集成电路的基础核心元器件。
像三极管，利用现有半导体理论体系的知识和学校实验室里的基础设备和实验材料，相关专业普通的大学生就能做得出来。
程旭大二的时候，就曾经尝试自制过“巨型”MOS晶体管。
很简单，但就是这样基础的东西构成了现代半导体芯片设计的基础与核心。
无论再复杂、再高端、再精密的芯片，不管是CPU、显卡亦或是各种各样的通用或专用芯片，也都是由最基础的元器件通过排列组合进行设计，并最终制作而成的。
荷泵理论体系下，HB管的成功制造，意味着通用芯片设计制造领域新的理论体系已经成型。
“有了这个理论基础，半导体将不再是芯片设计和制造的唯一选择，在某些领域甚至都不再是最优选择。”
整理完毕，程旭伸了个懒腰，脸上满是自信。
别的不说，这种新的元器件，端电压只需0.1V便能满足工作需求——这個电压和细胞突触传递的电压是基本一致的，也是荷泵芯片基因里的东西。
而现在的半导体呢？普通单片机，这个数字是5V！
采用了压降更低的PN节设计的芯片，大概是3.3V的电压。
而更先进的制程工艺，一般来说这个数字在0.8~1.2V左右。
再低的话，就已经无法满足大规模集成电路的制作需求了。
而荷泵芯片，0.1V的电压就足以准确传递电平变化信息！
荷泵芯片的理论能耗甚至只有普通半导体芯片的百分之一，基于此，芯片几乎可以几乎无限制的超频，无需顾忌发热，无需顾忌功耗！
而这一点，正是半导体芯片无法突破的桎梏——这些年，半导体的发展，无论是制程工艺的提升还是架构设计的突破，都是为了在更大程度上平衡功耗与性能。
即便按照最保守的理论计算，在同等规模、同等体积的集成电路中，荷泵芯片也至少能超出半导体芯片的几十倍以上的性能！
而这，意味着什么？
意味着一旦荷泵芯片达到相应的水准并普及开来，现在传统的半导体企业，什么高通联发科，什么英特尔AMD，什么德州仪器英伟达，统统要被埋进历史的尘埃里，连渣渣都不会剩下。
而荷泵芯片的制造，利用的是变化磁场对类胶质导体的力学、电磁学作用综合过程形成的自身奇妙变化。进而形成复杂的、具有特定功能的各类芯片。
而这个过程，跟现在的芯片制造没有任何的关联，甚至都没有什么相似之处，也不会用到什么光刻机、晶圆之类的东西。
所以——阿斯麦三星台积电什么的，也全部得玩儿完。
现在的芯片产业体系整个儿都得赔进去，要说能留下点儿什么，好像也就设计有点儿共通。
当然，这都是未来的事情了，现在，荷泵芯片才刚起步，制造工艺尚未迭代，很难达到光刻机所能达到的几个纳米的效果。
理想的估计，荷泵芯片短时间内所能达到的效果在微细胞级别——也就是微米级，从这个数据上来看，跟发展已经几十年的半导体光刻水平还有极大的差距。
不过，这只是开始，在一代又一代的迭代中，荷泵芯片的技术水平和制造工艺一定会稳步提升。